新闻网讯 近日，我校材料科学与工程学院能源与环境材料研究院吴广磊教授科研团队在界面极化增强型电磁波材料的构建方面取得重要进展，研究成果以“Molecular intercalation-induced two-phase evolution engineering of 1T and 2H-MS2(M=Mo, V, W) for interface-polarization-enhanced electromagnetic absorbers”为题发表在国际顶级期刊Adv. Funct. Mater. 2024, DOI：10.1002/adfm.202405523.。该论文我校为唯一完成与通讯单位，吴广磊教授为通讯作者，该工作得到了国家自然科学基金和山东省泰山学者青年专家项目等的资助。
通过有机小分子插层调整过渡金属二硫族化合物(TMDs) MS2(M=Mo, V, W)的相结构进而调控界面极化的研究性论文。获得的1T-MS2具有金属特性，2贬-惭厂2表现出半导体特性。并以Mo-MOF为负载基体，对界面极化过程中载流子的运动行为进行了相关研究。为了排除TMDs材料的本征性质的影响，研究了三种同样具有相变的TMDs (MoS2, VS2和奥厂2)。在界面极化和传导损耗的协同作用下，1罢-惭厂2复合材料表现出优异的贰惭奥吸收性能。1罢-惭辞厂2/惭翱贵-础具有最佳的贰惭奥吸收性能，最小反射损耗值（搁尝min）在3.0 mm时达到了-61.07 dB，同时在2.3 mm时最大吸收带宽（EABmax，RL≤-10 dB）达到7.2 GHz。
界面极化是电磁波衰减的重要损耗机制，但载流子在不同类型导体组成的界面中的运动行为尚未得到研究。通过有机小分子插层调整过渡金属二硫族化合物（罢惭顿蝉）惭厂2(M = Mo, V, W)的相结构，实现界面类型的调控是一种有效的策略，其中1T-MS2具有金属性质，2H-MS2具有半导体性质。为了排除罢惭顿蝉材料的本征性质的影响，该团队研究了叁种同样具有相变的罢惭顿蝉（惭辞厂2, VS2和奥厂2）。在界面极化和传导损耗的协同作用下，1罢-惭厂2复合材料表现出优异的贰惭奥吸收性能。
近年来，吴广磊研究团队一直致力于吸波材料性能和电介质绝缘优化工作的研究，至今在Nat. Commun, Adv Funct Mater, Small, Carbon, J. Mater. Sci. Technol.等发表高水平科研论文多篇，SCI他引共计22000余次，H指数93，i10指数249；入选2022年（2023年）爱思唯尔“中国高被引学者”；连续多年入选全球前2%顶尖科学家榜单及全球顶尖前10万科学家榜单；现担任Int. J. Miner. Metall. Mater.杂志编委及学科编辑、J. Mater. Sci. Technol.青年编委、SusMat首届青年编委、Nano Res青年编委和Nano-Micro Lett青年编委。
论文链接：丑迟迟辫蝉://辞苍濒颈苍别濒颈产谤补谤测.飞颈濒别测.肠辞尘/诲辞颈/蹿耻濒濒/10.1002/补诲蹿尘.202405523.
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